背面Ar<'+>轰击对n沟MOSFET特性的影响

• 作 者: 黄美浅 张玉玺 廖奕水 翁文华 曾绍鸿
• 机 构: 理工大学应用物理系(广州)
• 出 处: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 离子束轰击 特性 有效迁移率 阈值电压 沟道电导 界面态密度 密度变化 跨导 固定电荷 参数 低能量 证明 芯片 实验

用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的增加，阈值电压先减小，然后增大；而跨导、沟道电导和有效迁移率则先增大，随后减小。实验证明，上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果。