【摘 要】
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以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所
【机 构】
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南京微结构国家实验室和南京大学物理系,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/sapphire为衬底,我们制备M-S-M结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/Zno基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响虑1.9×104A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比见光450nm处的响应度高出两个数量级。
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