【摘 要】
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本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10GY(Si)/s剂量
【机 构】
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中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川绵阳,621900
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10<9>GY(Si)/s剂量率下不丢失数据,而NVSRaM在10<7>Gy(Si)/s剂量率下就发生数据错误,选择FASHROM作为单片机系统的存储器能够满足抗辐射指标的要求。
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