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高性能电源芯片瞬时辐射效应初探
高性能电源芯片瞬时辐射效应初探
来源 :第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jianghai9
【摘 要】
:
对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。
【作 者】
:
崔帅
张雪
刘洪艳
刘生东
曹雷团
牛振红
张力
【机 构】
:
北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076
【出 处】
:
第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
高性能
电源芯片
效应机理
加固措施
辐射试验
应用
生产
基础
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对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。
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