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本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000Gy(Si)的总剂量能力.得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨
【摘 要】
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本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000G
【机 构】
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中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川绵阳 621900
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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