SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3].本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为反应物,研究真空预处理、合成温度、合成压力、合成时间及循环工艺等生长条件对SiC颗粒成核、晶型、生长及N含量等综合性能的影响;通过SEM、GDMS和激光粒度测试仪等测试手段,
3C-SiC 优异的物理和化学性能使其在高温、高频、高压、大功率等领域具有广泛的应用前景[1].由于生长3C-SiC 体单晶较为困难,目前主要采用化学气相沉积法(CVD)在硅(Si)衬底上异质外延3C-SiC.在外延3C-SiC 前对Si 衬底进行碳化处理形成极薄的“缓冲层”可以有效缓解Si 衬底与3C-SiC 薄膜之间的晶格失配(～20％),进而显著提高3C-SiC薄膜的结晶质量[2].
本文以ZnO为种子层采用sol-gel法制备了Li、Mg共掺的氧化锌薄膜.Sol-gel法具有设备简单、不需真空、操作简便、易进行大面积薄膜制备和实现分子级别掺杂等优点.种子层诱导有利于促进ZnO薄膜的c轴取向生长,提高ZnO薄膜的结晶性能.本文系统的探讨了溶胶溶度、掺杂浓度及退火温度等对ZnO薄膜性能的影响.利用 XRD、SEM、PL、等手段对薄膜的结构性能、表面形貌和发光性能进行了表征,得到了