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六方晶型硅面碳化硅外延生长高质量的石墨烯
【机 构】
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中国科学院物理研究所,功能晶体研究与应用中心,北京 100190 北京天科合达蓝光半导体有限公司,
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年8期
其他文献
SiC原料的纯度、粒径和晶型在升华法生长半导体SiC单晶时起重要的作用[1],直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC粉料[2-3].本文采用高温合成炉,选择Si粉和C粉作为反应物,研究真空预处理、合成温度、合成压力、合成时间及循环工艺等生长条件对SiC颗粒成核、晶型、生长及N含量等综合性能的影响;通过SEM、GDMS和激光粒度测试仪等测试手段,
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