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3C-SiC 优异的物理和化学性能使其在高温、高频、高压、大功率等领域具有广泛的应用前景[1].由于生长3C-SiC 体单晶较为困难,目前主要采用化学气相沉积法(CVD)在硅(Si)衬底上异质外延3C-SiC.在外延3C-SiC 前对Si 衬底进行碳化处理形成极薄的“缓冲层”可以有效缓解Si 衬底与3C-SiC 薄膜之间的晶格失配(～20％),进而显著提高3C-SiC薄膜的结晶质量[2].