【摘 要】
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溅射后硒化硫化是制备CZTS薄膜的主流工艺路线之一.本文采用ZnS,SnS和Cu靶材作为溅射靶材制备预置层,其中ZnS和SnS采用射频的方法溅射,金属Cu则采用直流溅射.预置层在550的高
【机 构】
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南开大学光电子所,天津300071
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溅射后硒化硫化是制备CZTS薄膜的主流工艺路线之一.本文采用ZnS,SnS和Cu靶材作为溅射靶材制备预置层,其中ZnS和SnS采用射频的方法溅射,金属Cu则采用直流溅射.预置层在550的高温下进行硫化硒化,采用XRF、XRD/GIXRD、SEM、Hall及分光光度计等测试,分析比较Cu/ZnS/SnS/Mo/Glass、Cu/SnS/ZnS/Mo/Glass、ZnS/Cu/SnS/Mo/Glass、ZnS/SnS/Cu/Mo/Glass、SnS/ZnS/Cu/Mo/Glass、SnS/Cu/ZnS/Mo/Glass等六种预置层堆叠顺序,以及硒化后得到的CZTSSe薄膜的表面形貌、晶相结构、应力及光学特性.
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