Spin to Charge Conversion in the Surface States of a Kondo Topological Insulator SmB6

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kuba
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  There has been considerable interest in exploiting the spin degrees of freedom of electrons for potentialinformation storage and computing technologies.Topological insulators(TI),a class of quantum materials,havespecial gapless edge/surface states,where the spin polarization of the Dirac fermions is locked to the momentumdirection.This spin-momentum locking property gives rise to very interesting spin-dependent physicalphenomena such as the Edelstein and inverse Edelstein effects.However,the spin injection and detection in puresurface states of TI is very challenging because of the coexistence of the highly conducting bulk states.
其他文献
当交流电代替直流电,以垂直于层面的方向流过磁性多层结构,如铁磁/非磁结、自旋阀等,理论和实验都表明,除了磁电阻之外,此系统中还会出现磁电容效应。为了解释这类磁电容效应的来源,也就是能量存储的形式,我们引入自旋电容模型。
Perpendicularly magnetized Mn-based binary alloy films have attracted special attention in recent years due to their great potential in novel spintronic functional devices like STT-MRAM [1].In this ta
The multiferroic hexaferrites have aroused much intention in the recent years.Certain amount of Sc substitution in the M-type hexaferrite BaFe12-xScxO19(BFSO)can lead to a conical magnetic structure a
氧化物异质结因其界面处新颖且可控的物理性质一直是学者研究的热点.对于具有多鉄和半金属特性的氧化物,异质结复合的方式可在界面处实现多种优良性质的相互影响和共存,为多功能器件的设计提供基础.BiFeO3是目前发现的唯一的室温磁电型多鉄,其四方相具有极高的铁电极化(150μC/cm2).La2/3Sr1/3MnO3是典型的室温铁磁半金属,在自旋电子学器件中极具应用前景.
近年来,人工插层为氧化物薄膜改性提供了一种新的可控技术,在具有丰富物理特性的碱土金属掺杂的钙钛矿氧化物薄膜中插入新的氧化物薄层可能带来新的物理现象.利用简单易行的高分子辅助沉积方法,在LaAlO3、(LaAlO3)0.3(SrAlTaO6)0.7及SrTiO3单晶衬底上成功外延生长了La0.8Ca0.2MnO3/Ba0.8Sr0.2TiO3(LCM/BST)双层薄膜,并研究了退火温度和晶格应力变化
CoFeTiAl和CoCoTiAl具有相同的Heusler结构,它们的不同是在Heusler结构中的一个亚晶格位置上的元素不同以及由此导致的前者是非磁性半导体而后者是亚铁磁性金属。我们从理论和实验上研究了CoFeTiAl到CoCoTiAl成分演变过程中,晶格参数、磁性和电子结构的变化过程。
For more than a decade,researchers have been searching for means to improve the Curie temperature offerromagnetic GaMnAs samples,among which post-growth annealing in furnce has been treated as the mos
All-electrical and programmable manipulations of ferromagnetic bits are highly pursued for the aim of high integration and low energy consumption in modern information technology.Methods based on the
自旋轨道耦合与自旋霍尔效应,自旋动力阻尼,拓扑绝缘体,斯格明子等新效应都有很强的联系,成为了研究热点.Fe3O4是一种半金属材料,因为其具有高的居里温度和费米面附近的高自旋极化率,吸引了众多的研究兴趣.在磁电子器件,尤其在自旋注入半导体器件上,Fe3O4/GaAs被看作是一种很有潜质的自旋电子学复合材料.
当测试样品中有微波电场时,在自旋泵浦效应产生的电压中,不可避免地混合着由于逆自旋霍尔效应(ISHE)和自旋整流效应(SRE)产生的电压。以前的这两种效应的区分方法多依赖于线性近似和曲线拟合。我们发展了一种在测试信号中将ISHE电压和SRE电压分离开的方法。该方法基于上面两种效应对自旋注入方向的依赖性不一样:ISHE电压是自旋注入方向的奇函数,而SRE电压则与自旋注入的方向无关。