Fe3O4/GaAs界面的自旋轨道耦合研究

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wang3993

【摘要】

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自旋轨道耦合与自旋霍尔效应,自旋动力阻尼,拓扑绝缘体,斯格明子等新效应都有很强的联系,成为了研究热点.Fe3O4是一种半金属材料,因为其具有高的居里温度和费米面附近的高自旋极化率,吸引了众多的研究兴趣.在磁电子器件,尤其在自旋注入半导体器件上,Fe3O4/GaAs被看作是一种很有潜质的自旋电子学复合材料.

【作者】

：

黄兆聪刘文卿岳金金章文翟亚徐永兵王金兰董帅

【机构】

：

东南大学物理系,南京 211189 Department of Electronics,Unive

【出处】

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中国物理学会2016年秋季会议

【发表日期】

：

2016年5期

【关键词】

：

Fe3O4 异质结构界面自旋轨道耦合铁磁共振

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