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会议论文
SiGe HBT工艺结构及失效分析
SiGe HBT工艺结构及失效分析
来源 :第十二届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zdjige
【摘 要】
:
本文介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点及其失效机理,并讨论了SiGe HBT晶体管纵向及横向结构参数的设计,并对加速寿命试验中发生失效的SiGe HBT进行失效分析。
【作 者】
:
林晓玲
孔学东
恩云飞
章晓文
姚若河
【机 构】
:
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 信息产业部电子第五研究所 广州 510610
【出 处】
:
第十二届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
:
2007年期
【关键词】
:
工艺结构
异质结双极晶体管
失效机理
加速寿命试验
失效分析
结构参数
设计
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本文介绍了SiGe异质结双极晶体管的特点及其失效机理,并讨论了SiGe HBT晶体管纵向及横向结构参数的设计,并对加速寿命试验中发生失效的SiGe HBT进行失效分析。
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