VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应

• 作 者: 李志国 李秀宇 朱春节 郭春生 吴月花
• 机 构: 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京 100022
• 出 处: 第十二届全国可靠性物理学术讨论会
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: 多层金属化 系统 蓄水池 电迁移 应力迁徙 寿命 效应 孔位置 通孔 水池结构 面积 金属离子 互连线 电迁徙 实验 设计

对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。