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本文中，首先描述一种基于MBE的高质量工，InAs/GaAs量了点制备技术。研究发现，在量子点形成的某个特定阶段引入Si掺杂可以大幅提高InAs/GaAs量子点材料的光学质量，与未掺杂的参比样品相比，引入Si掺杂量了点的光致荧光(PL)峰值强度增加约36倍。
Si掺杂InAsGaAs量子点中间能带太阳能电池的研究
【摘 要】
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本文中，首先描述一种基于MBE的高质量工，InAs/GaAs量了点制备技术。研究发现，在量子点形成的某个特定阶段引入Si掺杂可以大幅提高InAs/GaAs量子点材料的光学质量，与未掺杂的参比
【机 构】
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中科院半导体材料科学重点实验室,中科院半导体研究所,北京100083
【出 处】
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第十届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2013年8期
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