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由闪锌矿晶体结构II-VI族化合物半导体CdTe与盐岩矿晶体结构的IV-VI族化合物半导体PbTe构成的CdTe/PbTe异质结,这种异系的半导体异质结构具有共同的Te阴离子和室温下匹配的晶格常数,在半导体中红外光电子器件、电子器件和自旋电子器件具有重要的潜在应用.本文用分子束外延方法生长CdTe/PbTe异质结,反射高能电子衍射(RHEED)显示二维平面生长机制.本文从理论和实验两方面研究了CdTe/PbTe异质结的物理特性.