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针对分子束外延生长单根砷化镓纳米线电性测量表明,非掺杂与掺杂型单根GaAs纳米线的特性具有四种不同的线性:近线性、近对称型,不对称以及完全整流.为了对以上几种特性曲线进行定量分析,建立了单根GaAs纳米线的金属-半导体-金属模型来对实验结果进行拟合.通过该理论模型,我们得到了GaAs纳米线中本征的电学信息如掺杂浓度、载流子迁移率以及电极接触势垒高度.