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Zn4Sb3具有优良的热电性能.我们用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱研究了Zn4Sb3在常温下的缺陷结构以及低温下相变过程中的缺陷结构变化.在常温下Zn4Sb3是β相，其Zn单空位的正电子寿命约为212 ps.通过与理论计算的正电子寿命比较，我们发现Zn空位至少有两个最近邻的Zn间隙原子.变温正电子寿命和多普勒S参数表明在300K以下Zn4Sb3存在两次相变，分别发生在约225K和240K.通过S-W曲线，我们发现随着温度的降低捕获正电子的缺陷类型发生了变化.