饱和电流密度相关硕士博士期刊学术论文 - 皮皮文库

饱和电流密度相关论文

硅基AlGaN/GaN HEMT高频开关器件研究

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......

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硅基 AlGaN HEMT 器件结构击穿电压阈值电压 P-GaN 高频开关器件接触电阻饱和电流密度栅极漏电流栅长

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