面内场相关论文
超高密度固态布洛赫线存储器（BLM）是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（VBLs）作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密......
该文实验研究了含Lu样品中的硬磁畴(含Lu样品中只能产生OHB和ID)在面内场作用下行为.首先,实验研究了直流偏场"整形"和面向场交替......
该文首次研究了在面内场的作用下,用"低直流偏场法"产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律.实验发现,用"低直流偏场法"产生的IID枝状畴......
七十年代中国开始从事这方面的研究.河北师范大学物理系磁学室与中科院物理所合作多年,对VBL的产生、消失、温度稳定性等进行了深......
