非晶碳化硅相关论文
由于碳化硅薄膜具有很多优良的物理、化学性质和广泛的应用前景，对其生长机制和制备方法的研究一直是物理学和材料学领域的重要内容......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
利用SiH4(80%Ar稀释)和CH4作为源气体,通过改变源气体流量比、基片温度、沉积气压等参量,使用微波电子回旋共振化学气相沉积法生长......
