非易失性存储相关论文
由于“内存墙”等问题的存在,“冯·诺依曼”计算机的发展面临着极大的挑战。于是,发展超越互补金属氧化物（CMOS）器件的新型电子元件......
众所周知,铁电材料具有自发电极化,并且电极化在外加电场作用下是可以切换的。由于它在电光学、压电和非易失性存储设备等不同方面......
继石墨烯和过渡金属硫化物之后,黑磷（BP）成为新一代的层状半导体材料。由于具有带隙适中（0.3～2 e V）、载流子迁移率高(～1000 cm~2V-1s-1)......
近年来人工智能技术飞速发展,传统计算机架构已不能很好地满足高效率、低功耗的要求;研发基于新型非易失性存储技术的类脑神经元计......
目前，深度置信网络(deep belief network:DBN)、卷积神经网络(convolutional neural networks: CNNs)等主流神经网络模型在众多领域......
闪速存储器简称闪存,作为一种非易失性存储设备,为近年来被广泛应用的一类半导体存储器件。其中NAND闪速存储是目前闪速存储技术中......
近年来,随着晶体管的尺寸不断减小,短沟道效应的日益加重使得硅基器件的速度和功耗逼近了物理极限,因此需要寻找新型的沟道材料,以......
半导体产业作为全球信息产业的基础,是一个资本与技术高度密集型产业,产业发展的关键是“钱”和“人”。在中国半导体产业崛起的过......
目前在研发中的新一代非易失性存储器主要包括铁电存储器、相变存储器、磁阻式存储器和阻变存储器(Resistive Random Access Memor......
Optane未来潜力无疑是巨大的，4K随机读取性能峰值或可达到464300 IOPS，是其现有企业级SSD P3700的五倍还多，对电脑体验提升相当可观，非......
目前,半导体领域中,已有的半导体材料和技术的研究已经达到了物理临界点,新的技术突破迫在眉睫。近年来,在非易失性随机存取存储器......
随着微电子集成技术的不断发展,当前主流的非易失性存储技术——基于电荷存储的Flash存储器遭遇到了抗疲劳特性差、访问速度慢和操......
存储器是计算机的记忆装置,它的主要功能是存放程序和数据.程序是计算机操作的依据,数据是计算机操作的对象.存储器作为半导体元器......
