静态功耗相关论文
三维片上网络（Three Dimensional Network-on-Chip，3D NoC）由2D NoC在垂直方向采用TSV技术堆叠而成，其具有可重用和易扩展等特性以及芯......
基于台积电(TSMC)0.6μmCMOS(互补金属氧化物半导体)工艺设计了一款恒定跨导轨对轨输入/输出运算放大器.不同于传统的实现恒定跨导......
微处理器,也既中央处理单元或中央处理器,是信息产品中不可缺少的部件.它有通用和专用两种.微处理器设计是集成电路设计中最复杂,......
近年来,随着移动设备、嵌入式设备的普及,移动处理、嵌入式应用的大量涌现,以及通用微处理器工艺水平和主频的不断提升,双核乃至四......
近几十年来,芯片的生产工艺已经从60纳米发展到了7纳米,纳米级电子器件的发展前景越发的明朗。电子信息系统的推陈出新,半导体技术......
CMOS是互补型MOS数字集成电路,主要供数字电路使用。但是,用其非门(与非门也可)适当偏置便可构成线性电压放大器。这种放大器具有......
针对低电压下静态随机存储器(SRAM)出现的读写性能损失的问题,设计了一种应用于低功耗SRAM的两步控制(DSC)的字线电压辅助电路技术......
随着SOC技术的发展,电池供电的便携式电子产品得到了广泛应用。便携式电子产品应用功能的日益增多,导致SRAM存储器所占的芯片面积......
集成电路制造工艺缩减到40nm以下之后，静态功耗问题已经极大地影响了集成电路的设计思想。本文详细论述了MOS管中的泄漏电流产......
图1中的简单采用一只3.6V镍镉可充电电池供电,它能用一只LED控测光亮.电路实际上不消耗静态功耗.两只LED作为光敏二极管,用于探测......
随着工艺尺寸的减小,数字逻辑电路的漏电流成为当前FPGA面临的主要挑战.静态功耗增大的主要原因是各种漏电流源的增加.图1所示为随......
(接上期)rn4 XY·CN总线系统特点rn①高速稳定的通信速率,4.8 kb/s时可达到2 km的可靠通信距离,且可挂接多达400个节点设备,通过XY......
恒流源偏置磁悬浮轴承结合了永磁偏置磁悬浮轴承的低功耗性和传统主动磁悬浮轴承的磁场可控性。为了验证恒流源偏置磁悬浮轴承的低......
ILGOO系列低功耗FPGA产品rnActel公司的ILGOO系列器件是低功耗FPGA产品,是在便携式产品设计中替代ASIC和CPLD的最佳方案.它在Flash......
提出了电荷自补偿技术,此技术利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电,并在此技术基础上综合应用双阈值技......
