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集成二极管相关论文
集成二极管的碳化硅MOSFET器件新结构研究
得益于单极导通输运机理和优越的材料特性,在相同功率密度下,SiC MOSFET往往比SiIGBT有着更高的工作频率,较大的禁带宽度和较高热......
学位
SiC MOSFET
集成二极管
第三象限
双极退化效应
开关损耗
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