隧穿电流相关论文
当前,如何显著减小纳米集成电路功耗已成为国内外研究和关注的焦点问题,众多新型低功耗半导体器件脱颖而出,而隧穿场效应晶体管(TF......
石墨烯是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是构筑零维富勒烯、一维碳纳米管和三维体相石墨等sp2杂化碳的基本结构单元，具有......
在等比例缩小原则的约束下,为了保持优异的MOS器件的性能,同时又要抑制过大直接隧穿电流和保持栅氧化层的可靠性,这时就需要寻找一......
聚合物/纳米颗粒复合薄膜电双稳器件因成本低，制备工艺简单，存储密度大成为近年来电双稳器件研究中的热点。这种材料体系电双稳态通......
近年来由于微纳加工技术的成熟,人工纳米结构被广泛的研究,人们积极探索各式各样的纳米材料的力学、热学、光学和电磁性质,其中纳......
用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个......
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品......
基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实......
对Ti/6H-SiC Schottky结的反向特性进行了测试和理论分析,提出了一种综合的包括SiC Schottky结主要反向漏电流产生机理的反向隧穿......
