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氧化镍外延薄膜的变温电阻开关特性和隧穿机制研究
氧化物薄膜电阻开关存储器(ReRAM)具有快速的读/写速度(~10 ns)、优异的耐受性(>106次读/写次数)和超长的存储稳定性(~10年)等优点......
学位
外延NiO_x薄膜
变温电阻开关特性
隧穿机制
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