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氮化镓（GaN）是Ⅲ—Ⅴ族宽禁带半导体材料,拥有热导率高,化学性质稳定以及抗辐射能力强等优势,有望大规模应用于微波功率器件、蓝色光......
随着对电子器件的各项要求越来越高,具有高自旋极化率的自旋电子学器件早已引起了人们的关注。自旋电子学与传统半导体电子学的根......
纳米材料是一个迅速发展的研究领域,不仅是因为性能新颖的材料不断地被开发,还因为可以通过调整合成方案能够精确地控制纳米材料的......
采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD......
自旋电子学是最近新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,它同时利用电子的电荷和自旋来进行信息的存储和处理。自旋......
近几十年的研究表明，自旋电子学已在材料物理学领域占据了重要地位。自旋电子学器件具有不挥发、低功耗和高集成度等优点，较之传统的......
采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,计算含有锑空位和铝空位的AlSb电子结构,发现空位引起周围原子弛豫,晶......
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,计算研究了闪锌矿结构的ZnS晶体在不同的外界压强下的电子结构......
运用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,利用第一性原理计算了不同的压强下ZnSe晶体闪锌矿结构,得到了......
