由于锌黄锡矿（Kesterite）结构的铜锌锡硫硒（Cu2ZnSn（S,Se）4,CZTSSe）半导体材料具有带隙可调（1.0-1.5 eV）、吸收系数高(104 cm-1),而且组成......

二氧化钛导电粉作为一种功能材料，主要以导电填料的形式应用于高分子材料中。与传统的碳系和金属系导电粉相比，二氧化钛导电粉颜色浅......

一种基于来自n型半导体材料的电子与来自p型半导体材料的空穴在界面实现全界面的复合,实现对能带的有效调节,使得Zn O本征的紫外发......

锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体是一种极具发展潜力的透明导电材料,由于其异于其它导电材料的性能,在工业的许多领域都有良好的应用......

采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备纯的和金属Sb掺杂的CdTe薄膜,在氩气的保护下对薄膜进行不同条件的热处理。并采用X射线衍射仪、原......

ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37e V，激子束缚能高达60meV，这些优点使其在紫外光电器件方面有着广泛的应......

介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发、氧含量减少的原因进行了探讨并提出了一......