现代主流存储器技术达到技术发展的瓶颈,而新型非易失性存储器反而在快速发展。其中铁电存储器（FRAM）以其非易失性、低功耗、长寿命......

相比于传统的闪存存储器（Flash）,铁电存储器（FRAM）因其高读写速度、低功耗、高保持特性以及高耐久性,被广泛认为是具有发展前景的一种......

利用原子层淀积工艺制备了9 nm厚的铪锆氧(Hf0.5Zr0.5O2)铁电薄膜.通过淀积TiN顶/底电极形成Hf0.5Zr0.5O2铁电电容,研究退火工艺和......

根据铁电体的特征电滞回线和微观结构特点,将构成铁电体的晶胞等效为偶极子. 通过分析偶极子在电场作用下的极化反转机理,运用统计......

用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中把分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构，包括铁电层和非开关介电......