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研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采......
研究了 0 .5μm SOI CMOS器件和电路 ,开发出成套的 0 .5μm SOI CMOS工艺 .经过工艺投片 ,获得了性能良好的器件和电路 ,其中当工......
基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静......
针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insula-tor)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关......
