近红外光致发光相关论文
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
首次报道了用恒电位电解法将铒、钇共掺入多孔硅(porous silicon,PS)中,经高温退火处理后,观察到了在近红外区(1.54 μm)室温下较......
本文通过在硅衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光，研究了在液氮温度下峰值为１．１３与１．０４ｅＶ两个发光带的发光特性。......
