超辐射发光管相关论文
超辐射发光管（Superluminescent diode,SLD）具有高功率、宽光谱、低相干性等发光性质,在光通信、工业国防、生物影像、光纤工业等领......
为提高半导体超辐射器件的输出功率，在原有的将超辐射发光管(SLD)与半导体光放大器(SOA)单片集成的基础上，将器件电流注入区中心轴线......
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采......
在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上,增加了脊形波导结构,制得了新型的1.5 μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源.......
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03% 的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB......
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1.3μm......
