超宽禁带氧化镓（Ga2O3）半导体材料禁带宽度为4.5～5.16 eV,理论预测其击穿电场强度达到8 MV/cm,远高于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓等半导......

随着电子电力领域的发展,功率器件正逐步占有更多的市场份额,对功率MOSFET器件的研究也逐步深入,为改善“硅极限”问题,许多创新的......

功率半导体器件是构成电力电子变换装置的重要器件。击穿电压和导通电阻是功率半导体器件的关键指标，而导通电阻和击穿电压是一对矛......