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随着半导体技术的快速发展,传统晶体管器件的特征尺寸不断微缩到达物理极限,实际发展速度已经落后于摩尔定律的预测速度,这对半导......
随着Si基CMOS工艺尺寸进入5nm工艺节点,尺寸的进一步缩小面临着短沟道效应、量子遂穿效应、大量悬挂键成为复合中心等问题,迫切需......
负电容铁电场效应晶体管是在传统MOS管基础上把传统的栅极氧化物材料换成铁电材料,其亚阈值斜率可以低至60 m V/dec,它是未来降低......
能源问题是21世纪以来人们关注的重点问题,因为能源是人类文明发展所需要的巨大推动力。随着时代的发展,新能源一直被开发与利用。......
自从世界第一支锗晶体管和集成电路被发明以来,微电子技术奠定了信息时代的物质基础。集成电路通过微小化实现更低的成本、更高的......
聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物凭借优异的铁电特性、生物兼容性以及化学稳定性,在众多有机聚合物材料中脱颖而出,被广泛用于传感器、......
在该文中,我们详尽地搜寻和考察了已有的有关负电容的几乎所有的报导,总结了已取得的结果和尚存在的不足,重点放在对各种测试方法......
随着发光二极管已经越来越广泛地应用于光通讯、显示、照明和指示等领域,对其特性的研究也显得越来越重要.对新的发光器件的特性研......
