薄势垒相关硕士博士期刊学术论文 - 皮皮文库

薄势垒相关论文

增强型GaN HEMT器件的实现方法与研究进展

考虑到实际应用对可靠性、设计成本及能耗的要求，增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件比传统耗尽型GaN HEMT器件优势更显著。目前......

期刊

GaN HEMT器件凹栅结构 p-GaN 薄势垒

增强型GaN FinFET器件与三栅调控机理研究

针对传统增强型GaN FinFET器件阈值电压较低、Fin宽(Wfin)工艺窗口较小和电流密度较低的问题，本文提出了一种基于薄势垒技术的AlGaN......

学位

Fin结构场效应晶体管制备工艺薄势垒三栅调控

氮化镓基增强型HEMT器件与集成电路研究

本文重点研究了蓝宝石衬底上的铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN)增强型高电子迁移率晶体管(HEMT)和集成电路。　　首先，开展了不同F等离......

学位

F等离子体处理高电子迁移率晶体管薄势垒数字电路抗辐照活性

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