自组织生长相关论文
低维有机铅卤钙钛矿纳米晶具有合适的禁带宽度、较小的激子结合能、较大的光吸收系数、宽吸收光谱、高载流子迁移率和较大的载流子......
在GaAs衬底上自组织生长InAs量子点，因低廉的成本、巨大的发展空间及应用前景，成为目前半导体材料研究的热点。为制备长波长量子点激......
本文内容包括： 1.利用原子力显微镜研究640C初始覆盖Si层时(0-4.2A)sJOe量子点的形貌转变过程，实验发现穹形量子点逐渐转化为金字......
由于嵌入SiO_2基体中的Ge纳米晶(nc-Ge)能发射可见光而有望用于制备新型光数据存储器等，目前它正成为人们感兴趣的研究热点。已发现......
采用新电极结构的PECVD技术 ,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下 ,在SiO2 玻璃表面形成双等离子流 ,增加......
对利用超低压化学气相淀积 (VLP CVD)技术在Si上自组织生长Ge量子点的特征进行了研究 ,发现生长温度对Ge量子点尺寸分布和密度的影......
利用真空热蒸发方法在液体基底表面成功制备出具有自由支撑边界条件的金属铝薄膜系统,研究了薄膜中自发形成的自边界向内部区域逐......
研究 Ga As基 Inx Ga1 -x As/ Ga As量子点 (QD)的 MBE生长条件 ,发现在一定的 / 比下 ,衬底温度和生长速率是影响 Inx Ga1 -x A......
用扫描隧道显微镜研究了Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温......
采用低压化学气相沉积方法,依靠纯SiH4气体的热分解反应,在SiO2表面上自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了SiO2膜的薄层化对Si纳......
