自热效应相关论文
射频通信的发展对收发系统提出了更加严苛的指标要求,随着5G技术在通信领域的商用,针对5G频段庞大的芯片市场,5G芯片的研究具有重......
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借其大功率、耐高压的特点,近年来被广泛应用于5G技术、新能源汽车、无人机等新兴产业。但是由于HE......
近年来,GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT,GaN High Electron Mobility Transistor）已被广泛地应用于各大新兴半导体发展领域,如快速......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
复合固体推进剂在航天和兵器领域的应用越来越广泛,经常受到不同形式的动态载荷,其中较重要的有冲击载荷和循环载荷。复合推进剂在......
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象.提出了一种图形化衬底技术来降......
针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件自热效应以及电流崩塌效应导致器件性能退化和失效的问题,研究了通过合理改变器件参......
变流器是光伏发电系统的核心组件,也是最脆弱的组件。近年来,随着光伏发电成本的不断降低,太阳能并网发电系统的总装机容量也显著......
拥有3D结构的FinFET不仅本身具有较低的阈值斜率,同时,还有可以加强栅极电压控制、减少短通道效应、提高能量效率、降低栅极延迟等......
β-Ga_2O_3作为一种新型宽禁带半导体材料,因其～4.8 e V的禁带宽度、高达8MV/cm的击穿场强、稳定的物理化学特性,成为了Si C、Ga N......
红外遥感技术对地表温度获取的具有高时效、高精度的优势,故而被广泛应用于气候变化、天气预报、环境监测等领域。然而随着数值天......
为了研究自热效应对标准铂电阻温度计测量结果的影响,分别从定点法和比较法两方面开展研究.针对定点法,统计中国计量科学研究院近3......
扫描隧道显微镜（STM）于20世纪80年代问世以来，先后出现了一系列测量分辨率可达原子量级的检测技术和测量仪器，随着纳米科技的不断发展，......
作为第三代半导体材料,氮化镓(GaN)由于具备高击穿电压、热导率和电子饱和漂移速度等杰出特点,使得其器件在高温及大功率方面具有......
随着功率集成南路的集成度不断提高，器件的热失效问题日益严重，考衡器件可靠性的安全工作区已经成为优化器件设计的一个非常重要的因......
集成电路实际是由相互耦合的电学子系统和热学子系统共同组成.本文基于具体的封装结构提出集成电路的热学分析模型,分析了温度对集......
对铂电阻温度计在冰水混合物和真空中的自热效应进行了实验研究,提出应用多电流法修正自热效应引起的测量误差.与传统的二电流法和......
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击......
在激光测距系统中,为了消除温度对半导体激光器调制特性及雪崩光电二极管接收性能的影响,使系统更加稳定地工作,温度控制系统的设......
建立了包含“自热效应”的A lG aN/G aN HEM T(高电子迁移率晶体管)直流I-V特性解析模型。从理论的角度分析了自热效应对A lG aN/G......
采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的......
严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点。绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应。......
期刊
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......
