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碳化硅（SiC）器件具有禁带宽度宽、击穿电场高和热导率好等优点,尤其适用于高温、高压和大功率等工况。近年来,随着新能源汽车、航天......
小电流下饱和压降法（Vce法）和阈值电压法（Vth法）是IGBT热阻测试标准中推荐使用的两种结温测量方法，然而并没有说明两种方法测得的结温的......
结温测量是功率半导体器件热表征、可靠性研究、状态监测以及健康管理的重要基础,其中温敏电参数法响应快速且无需破坏封装,十分适......
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