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纳米多孔GaN相关论文
纳米多孔GaN基薄膜的制备及Beta-氧化镓薄膜的外延生长
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)是当前研究的热点问题。由于具有禁带宽度大(3.4 eV)、击穿电场高、电子漂移速......
学位
MOCVD
电化学刻蚀
纳米多孔GaN
分布布拉格反射镜
β-Ga2O3
基于纳米结构的GaN基光电器件的制备及性能研究
继第一代Ge、Si为代表的半导体材料、第二代GaAs、InP为代表的化合物半导体材料之后,以GaN与SiC为代表的第三代半导体材料已成为当......
学位
电化学刻蚀
纳米多孔GaN
分布式布拉格反射镜
发光二极管
光电探测器
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