纳米MOSFET相关论文
纳米MOSFET的高频噪声特性表征是射频集成电路设计的基础。在新型的无线通信网络与系统中,低压低功耗的设计需求使得研究MOSFET在......
为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。首先实验测量和理论模拟结果均表明,随着器件尺寸缩......
不同沟道长度的MOSFET器件的噪声机理是不同的,目前已探明工艺技术成熟的长沟道MOSFET的高频本征噪声机理为热噪声。但对于工艺技......
MOSFET高频噪声的建模是其在无线通信中应用的基础。面向低功耗、混合信号及高频应用的短沟道COMS技术,其最佳的高频特性已从低中......
文章提出了基于Levenberg-Marquardt BP神经网络的MOSFET反型层载流子密度量子更正模型,对于较大氧化层厚度范围、Si层厚度范围、......
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互......
