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纤锌矿AlGaN/GaN等多层异质结构是制作高电子迁移率晶体管及紫外光探测器等光电子器件的典型材料.它们具有宽禁带，高电子迁移率和热......

采用Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合变分法,研究了GaN/Al0.3Ga0.7N量子阱中束缚极化子基态能量、结合能和电子-声子相互作用对束缚极......