类氢杂质相关论文
本文在有效质量近似下,采用有限差分法研究了InGaN/GaN多层核壳量子点中电子子带间跃迁的线性和非线性光学性质,讨论了类氢杂质、......
该文利用一维化方法,在有效质量近似下,考虑阱中电子有效质量随空间位置的变化(SDEM效应),计算了加垂直磁场时有限深抛物阱(PQW)中......
该文在前人工作的基础上,详细研究了矩形截面GaAs/GaAlAs(x=0.3)量子阱线中的类氢杂质体系的性质,采用变分技术计算了此体系的束缚......
在有效质量近似下,我们采用变分法,分别计算了磁场对方形量子阱线和正方体量子点中类氢杂质束缚能的影响,将结果与前人的工作进行......
自八十年代以来，随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积等技术的发展，低维半导体材料得以广泛应用。因为杂质对于材料中的电子输运及......
在有效质量近似下,讨论了GaN／AlxGa1-xN应变柱形量子点中类氢杂质态结合能和外场存在情况下耦合GaN／AlxGa1-xN柱形量子点z方向电子基......
在有效质量近似下,利用变分法研究无限高势垒GaN/AlxGa1-xN应变长方量子点中类氢杂质态结合能及流体静压力效应,数值计算表明,杂质......
