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Cl2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻......
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感应耦合等离子体
硅
Cl2/Ar
离子辅助刻蚀
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