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测定了[Gd(pfpr)](NIT-PhNEt).2ChCl的变温化率(2～300k)，根据一维链状结构的磁相互作用模型，推导出磁化率理论计算方程，经最佳拟合技术......

GaN是一种性能优良的Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体材料,被誉为第三代半导体材料的典型代表,其研究和应用备受瞩目。基于GaN体系掺杂磁性杂......