碳杂质相关论文
三氯氢硅的合成过程中会引入碳杂质,在多晶硅和作为硅源的硅外延片生产中很容易发生沉积,形成晶格点缺陷,从而影响半导体材料的性......
针对甲烷催化裂解法自制多壁碳纳米管(MWCNTs)中的催化剂残留(灰分)和碳杂质,研究常温HCl或NaOH溶液溶灰与高温空气氧化或H2甲烷化......
研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN......
使用自主研发的钨系统中频感应加热炉对AlN粉料进行了烧结提纯处理实验,并用XRD、SEM、IGA和GDMS等表征方法分析了烧结后的样品。......
本文简述了多晶硅生产过程中碳杂质的主要来源：甲烷和甲基氯硅烷，对合成炉、冷氢化两种工艺生成甲基氯硅烷进行了对比，并提出了生产中......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
