碳化硅晶体相关论文
半导体行业是国家产业升级与转型的重点发展领域,Si C作为第三代半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、热导率高、饱和电子迁移速......
作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势，被认为是制作高......
以再结晶碳化硅（RSiC）为基体,利用其特殊的三维连通孔结构,通过MoSi2高温熔渗法来制备具有三维互穿网络结构的MoSi2-RSiC复合材料,可......
微波作为一种新型和环境友好型的加热方式,其节能高效、清洁环保的加热特点备受国内外学者的广泛关注。微波加热技术制备SiC晶体已......
碳化硅是一种间接宽带隙的半导体材料，具有广泛的应用前景。它的结构特性之一是多型性，结构的多型性使它具有诸多不同的光学及电学特......
作为第三代半导体的碳化硅(Si C)材料,具有多项优异的性能,诸如宽禁带、高热导率、高击穿场强等,这使得它能代替硅(Si)材料在高温......
离子辐照作为一种材料表面改性方式，可以使材料表面的物理、化学、电光、机械性能等发生改变，能有效地优化材料表面的各种性能。通过......
6H-SiC是一种第三代半导体材料，具有宽带隙，高电子密度和电荷迁移率，优良的热传导和机械性能，在电子学和光学领域具有广泛的应用前景。......
优势产业初步形成rn《兵团建设》:去年召开的兵团党委六届六次全委(扩大)会议上,自治区党委书记张春贤指出,“十二五”期间兵团要......
采用含特种基团有机硅聚合物制备了拉伸强度为3.92MPa,扯断伸长率为285%的新型硫化硅橡胶,与道康宁公司Sylgard184硅橡胶相比具......
