砷掺杂相关论文
报道了利用As4作为掺杂源获得原位As掺杂MBEHgCdTe材料的研究结果.利用高温退火技术激活As使其占据Te位形成受主.对原位As掺杂MBEH......
为了提高目标探测距离和实现高温度灵敏度探测,发展长波、大规模的焦平面探测器技术是第三代焦平面的重要技术特征之一。美国RVS等......
近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPAs)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.要......
采用As掺杂和激活技术制备的p+-on-n异质结材料是获得高性能长波碲镉汞红外焦平面器件的关键技术之一,得到了广泛关注.采用变温IV......
