随着半导体集成电路行业的急速发展，CMOS器件的尺寸也不断小型化，此时传统Si基MOS器件的尺寸也逐渐的接近它的物理极限。GaAs因其高......

立方 Ga As (10 0 )衬底上制备的 Ga N薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相 ,采用水平常压 MOCVD方法在立方 Ga As (10 0 )衬底上制......