砷化镓(GaAs)相关论文
基于0.15μm的砷化镓(GaAs)pHEMT工艺设计了一款毫米波低噪声放大器MMIC芯片.该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构.测试结果显......
为了保证有关国内一流大型仪器设备的实验教学质量,同时还能节省高校的实验耗费,在LabVIEW 8.2开发环境下,通过对反射式高能电子衍......
成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射频集成电路(RFIC)设计领域拥有自己的"独门绝技",这就是可提供基于砷化镓(GaAs)工艺技术的......
