界面声子相关论文
近年来,宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用,已成为半导体材料领域的研究热点,其......
近年来，Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、AlN、InN及其合金由于在光电子和微电子器件方面的广阔应用前景，引起了人们的极大兴趣，其中一个十分重要的......
Ⅲ-Ⅴ族氮化物GaN、InN、AlN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混日InGa......
研究了量子级联激光器有源核中界面声子的色散关系和静电势分布.根据有源核内部的平移不变性导出了界面声子的色散关系.计算显示有......
本文采用介电连续模型,讨论了晶格应变对材料的体光学声子频率、介电常数、禁带宽度和电子带质量的影响.对GaN/GaxIn1-xN异质结中......
近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、AlN及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中......
根据介电连续模型和单轴晶体模型研究了纤锌矿量子阱中的界面声子模及其电声子相互作用的Fr?hlich哈密顿,我们计算和讨论了纤锌矿G......
