共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿现象的两端负阻纳米电子器件，它以其特有的高频，高速，负阻等优势特点成为了近年来微电子器件......

电子信息存储器在市场上占有越来越大的份额,越加显示其重要性,而金属-绝缘体-金属(MIM)和金属-氧化物-半导体(MOS)结构是电子信息......

研究了Cr Si Al和Cr Si Al N两种薄膜的微观结构及电性能。结果表明 :溅射态非晶Cr Si Al和Cr Si Al N薄膜在加热到 70 0℃的过程......